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J-GLOBAL ID：201103006778618224

タンデム型太陽電池

Inventor： 横山 春喜 ,  渡邉 則之
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010063684
Publication number (International publication number)：2011198975
Application date： Mar. 19, 2010
Publication date： Oct. 06, 2011
Summary：

【課題】シリコンを用いたタンデム構造型太陽電池でより高い光電変換効率が得られるようにする。【解決手段】第1半導体層103の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層104と、第2半導体層104の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層105と、第3半導体層105の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層106と、第4半導体層106の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層107とを少なくとも備える。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

第1導電形の第1シリコン層と、 この第1シリコン層の上に形成された第2導電形の第2シリコン層と、 この第2シリコン層の上に形成されたAlNからなる第1半導体層と、 この第1半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第1導電形の第2半導体層と、 この第2半導体層の上に形成されたInxGa1-xN(0.53≦x≦0,61)からなる第2導電形の第3半導体層と、 この第3半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第1導電形の第4半導体層と、 この第4半導体層の上に形成されたInyAl1-yN(0.62≦y≦0.68)からなる第2導電形の第5半導体層と を少なくとも備えることを特徴とするタンデム型太陽電池。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (2)：

H01L31/04 Y ,  H01L31/04 E

F-Term (7)：

5F151AA02 ,  5F151AA08 ,  5F151CB09 ,  5F151CB12 ,  5F151DA03 ,  5F151DA16 ,  5F151DA20

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• "Demonstration of a III-Nitride/Silicon Tandem Solar Cell"
• 「InGaN、InAlN多接合タンデム太陽電池の理論変換効率と格子不整合率」