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J-GLOBAL ID：201103008494069380

ナノギャップ電極の製造方法

Inventor： 永瀬 隆 ,  蒲生 健次 ,  久保田 徹 ,  益子 信郎
Applicant, Patent owner： 独立行政法人情報通信研究機構
Agent (1)： 廣瀬 隆行
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005054191
Publication number (International publication number)：2006245023
Patent number：4631004
Application date： Feb. 28, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に電極を形成する工程と, 前記電極を,幅2μm〜10μmの線電極部と,前記線電極部の両端に位置するパッド電極部とを含む電極に成形する工程と, 前記パッド電極部に電圧を印加し,前記2つのパッド電極部間を流れる電流値を測定しつつ,集束イオンビームを用いて前記線電極部の一部をスパッタエッチングすることにより,幅10nm〜100nm,長さ50nm〜400nmの細線電極部を形成する工程と, 前記細線電極部を切断して,当該細線電極部に1nm〜10nmのギャップを形成する工程と を含み, 前記細線電極部を形成する工程では, 前記測定中の電流に急速な減少が見られたときを前記スパッタエッチングの最終段階として,前記細線電極部の形成が終了される, ギャップ電極の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/302 ( 200 6.01) ,  H01J 37/317 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/302 201 B ,  H01J 37/317 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 特開平2-064644
  
• ナノギャップ電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-036568   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• 特開昭62-015833
  
• 集束イオンビーム加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252788   Applicant：キヤノン株式会社

Cited by examiner (5)

• 特開平2-064644
  
• 特開平2-064644
  
• ナノギャップ電極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-036568   Applicant：独立行政法人情報通信研究機構
• 特開昭62-015833
  
• 集束イオンビーム加工装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-252788   Applicant：キヤノン株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• Fabrication of nano-gap electrodes for measuring electrical properties of organic molecules using a

Cited by examiner (1)

• Fabrication of nano-gap electrodes for measuring electrical properties of organic molecules using a