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J-GLOBAL ID:201103008859375167
電力用半導体装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
高田 守
, 高橋 英樹
, 久野 淑己
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010099788
Publication number (International publication number):2011234430
Application date: Apr. 23, 2010
Publication date: Nov. 17, 2011
Summary:
【課題】ブートストラップコンデンサを十分に充電することができ、かつ回路を簡略化及び小型化することができる電力用半導体装置を得る。【解決手段】ブートストラップコンデンサCbsの一端が、トーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子M1とローサイドスイッチング素子M2の接続点に接続され、他端がハイサイド駆動回路10aの電源端子に接続されている。ブートストラップダイオードDbsは、ローサイド駆動電源LVからの電流をブートストラップコンデンサCbsの他端に供給する。ハイサイド駆動回路10aがハイサイドスイッチング素子M1をONにし、ローサイド駆動回路10bがローサイドスイッチング素子M2をOFFにする場合に、ブートストラップ補償回路12は、ブートストラップコンデンサCbsの他端に、高圧側電位を基準電位とするフローティング電源FVからの電流を供給する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
高圧側電位と低圧側電位との間に高圧側から順にトーテムポール接続されたハイサイドスイッチング素子及びローサイドスイッチング素子と、
前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するハイサイド駆動回路と、
前記ローサイドスイッチング素子を駆動するローサイド駆動回路と、
一端が前記ハイサイドスイッチング素子と前記ローサイドスイッチング素子の接続点に接続され、他端が前記ハイサイド駆動回路の電源端子に接続され、前記ハイサイド駆動回路に駆動電圧を供給するブートストラップコンデンサと、
アノードが電源に接続され、カソードが前記ブートストラップコンデンサの前記他端に接続され、前記電源からの電流を前記ブートストラップコンデンサの前記他端に供給するブートストラップダイオードと、
前記高圧側電位を基準電位とするフローティング電源と、
前記ハイサイド駆動回路が前記ハイサイドスイッチング素子をONにし、前記ローサイド駆動回路が前記ローサイドスイッチング素子をOFFにする場合に、前記ブートストラップコンデンサの前記他端に前記フローティング電源からの電流を供給するブートストラップ補償回路とを備えることを特徴とする電力用半導体装置。
IPC (1):
FI (1):
F-Term (9):
5H740BA12
, 5H740BB04
, 5H740BC01
, 5H740BC02
, 5H740HH07
, 5H740JA01
, 5H740JB01
, 5H740KK01
, 5H740NN17
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ハイサイドスイッチ駆動電源
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2001-322822
Applicant:株式会社エマティック, 木村進
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パワー半導体素子とこれを用いた半導体回路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2006-084444
Applicant:株式会社日立製作所
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