走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：川口嘉之 , 松倉秀実 , 佐貫伸一 , 丹羽武司
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010544789
Publication number (International publication number)：2011511286
Application date： Feb. 02, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法(SICM)を用いて表面を調べるための方法であって、a)表面領域内のそれぞれ離れた位置において、SICMプローブを各表面の近くに繰り返し動かし、各位置における表面高さを測定する工程、b)その表面高さ測定に基づいてその領域の表面粗さまたはその他の表面特性を試算する工程、および、c)その領域内のそれぞれ離れた位置において、プローブを各表面の近くに繰り返し動かし、その点数および位置は領域における試算された表面粗さまたはその他の表面特性に基づいたものであり、表面粗さまたはその他の表面特性に適合した分解能で前記領域の画像を取得する工程、表面を調べるための方法。

Claim (excerpt)：

走査型イオンコンダクタンス顕微鏡法(SICM)を用いた表面を調べるための方法であって、 a)表面領域内のそれぞれ離れた位置において、SICMプローブを表面近くに繰り返し動かし、各位置における表面高さを測定する工程、 b)前記表面高さ測定に基づいて前記領域の表面粗さまたはその他の表面特性を試算する工程、および、 c)前記領域内のそれぞれ離れた位置において、前記プローブを表面の近くに繰り返し動かし、その点数および前記位置は領域における前記試算された表面粗さまたはその他の表面特性にもとづいたものであり、前記表面粗さまたはその他の表面特性に適合した分解能で前記領域の画像を取得する工程、を含むことを特徴とする、前記表面を調べるための方法。

IPC (2)：

G01Q 60/44 , G01N 21/64

FI (2)：

G01Q60/44 , G01N21/64 E

F-Term (7)：

2G043AA03 , 2G043BA16 , 2G043EA01 , 2G043FA02 , 2G043GA04 , 2G043KA09 , 2G043LA02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

パッチクランピングおよび細胞より小さい特徴の分析におけるその使用
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-575628 Applicant：インペリアル・カレッジ・イノベイションズ・リミテッド
特開平4-369407
走査型プローブ顕微鏡及び試料の表面構造測定方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-028046 Applicant：理化学研究所

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