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J-GLOBAL ID：201103010809704563

半導体ナノ粒子及びその製造方法

Inventor： 前田 重雄 ,  桑畑 進 ,  上松 太郎 ,  鳥本 司 ,  田中 孝一
Applicant, Patent owner： IDEC株式会社 ,  国立大学法人大阪大学 ,  国立大学法人名古屋大学 ,  神戸天然物化学株式会社
Agent (2)： 来代 哲男 ,  田村 正憲
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010047359
Publication number (International publication number)：2011178645
Application date： Mar. 04, 2010
Publication date： Sep. 15, 2011
Summary：

【課題】 半導体ナノ粒子の蛍光量子収率を増加させる。【解決手段】 非水系溶媒に水を溶解させて水添加溶媒を調製し、発光性を有する半導体ナノ結晶と水添加溶液とを接触させて半導体ナノ粒子を製造する。【選択図】 図4

Claim (excerpt)：

半導体ナノ粒子の製造方法であって、 非水系溶媒に水を溶解させて水添加溶媒を調製し、 発光性を有する半導体ナノ結晶と前記水添加溶媒とを接触させる、 ことを特徴とする半導体ナノ粒子の製造方法。

IPC (8)：

C01G 1/12 ,  B82B 3/00 ,  B82B 1/00 ,  C01G 15/00 ,  C09K 11/08 ,  C09K 11/56 ,  C09K 11/58 ,  C09K 11/62

FI (9)：

C01G1/12 ,  B82B3/00 ,  B82B1/00 ,  C01G15/00 B ,  C09K11/08 A ,  C09K11/08 G ,  C09K11/56 ,  C09K11/58 ,  C09K11/62

F-Term (5)：

4H001CF01 ,  4H001XA16 ,  4H001XA30 ,  4H001XA47 ,  4H001XA49