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J-GLOBAL ID：201103011069494060

欠陥性表面応力の緩和方法

Inventor： 中村 明子 ,  北島 正弘 ,  成島 哲也
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000361747
Publication number (International publication number)：2002164301
Patent number：3950951
Application date： Nov. 28, 2000
Publication date： Jun. 07, 2002
Claim (excerpt)：

【請求項1】プラズマを発生させ、半導体基板に対して正の電荷を印加し、プラズマから電子を選択的に照射して、半導体デバイスにプラズマエッチングやイオン衝撃により発生した欠陥性表面応力を緩和する方法であって、電子の基板に対する侵入深さが欠陥層の層厚となるように電子エネルギーが設定された電子を照射することを特徴とする欠陥性表面応力の緩和方法。

IPC (2)：

H01L 21/265 ( 200 6.01) ,  H01L 21/263 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 21/265 602 Z ,  H01L 21/263 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 電子ビームアニール装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-310209   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭56-024954
  
• 特開昭56-153655
  

Cited by examiner (4)

• 電子ビームアニール装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-310209   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開昭56-024954
  
• 特開昭56-153655
  
• 表面欠陥検出方法およびその装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-385305   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構