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J-GLOBAL ID：201103013485809749

半導体モジュールおよびその製造方法

Inventor：
和戸 弘幸

About 和戸 弘幸


Applicant, Patent owner：
株式会社デンソー

About 株式会社デンソー


Agent (3)： 伊藤 洋二 ,  三浦 高広 ,  水野 史博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009244497
Publication number (International publication number)：2011091259
Application date： Oct. 23, 2009
Publication date： May. 06, 2011
Summary：
【課題】絶縁層の一面上にリードフレームを設け、そのリードフレームに回路素子を搭載し、絶縁層の他面を露出させるように、これらを樹脂でモールドしてなる半導体モジュールにおいて、当該半導体モジュールを絶縁層の他面側にて、グリースを介して筐体に接続する際に、より低い荷重でグリースを薄くできるようにする。【解決手段】樹脂40から露出する絶縁層10の他面のうちリードフレーム(20)の素子搭載部21と同じ位置には、回路素子30、31の熱を放熱するための凸部11、51が設けられており、絶縁層10の他面において凸部11、51の周囲が凸部11、51よりも凹んだ凹部12、52とされている。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電気絶縁性且つ熱伝導性を有する絶縁層(10)と、 前記絶縁層(10)の一面に設けられた金属製のリードフレーム(20)とを備え、 前記リードフレーム(20)は、発熱する回路素子(30、31)を搭載する素子搭載部(21)を含む形状にパターニングされたものであり、 前記素子搭載部(21)に前記回路素子(30、31)が搭載されており、 前記絶縁層(10)の一面側では、前記リードフレーム(20)および前記回路素子(30、31)が樹脂(40)によって封止されており、 前記絶縁層(10)の他面側は前記樹脂(40)より露出し当該他面側にて放熱を行うようにした半導体モジュールにおいて、 前記絶縁層(10)の他面のうち前記素子搭載部(21)と同じ位置には、前記回路素子(30、31)の熱を放熱するための凸部(11、51)が設けられており、前記絶縁層(10)の他面において前記凸部(11、51)の周囲が前記凸部(11、51)よりも凹んだ凹部(12、52)とされていることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/36
FI (2)：
H01L23/12 J ,  H01L23/36 C
F-Term (5)：
5F136BB04 ,  5F136DA27 ,  5F136FA03 ,  5F136FA12 ,  5F136FA63
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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