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J-GLOBAL ID:200903056408023417
半導体モジュールおよびその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
森田 雄一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004246061
Publication number (International publication number):2006066559
Application date: Aug. 26, 2004
Publication date: Mar. 09, 2006
Summary:
【課題】 コスト上昇を抑えつつ放熱特性を向上させた半導体モジュールおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 パワー半導体2または駆動IC3等の回路素子をボンディングワイヤ4,5によりリードフレーム1の回路パターンに接続して成形樹脂6で覆い、この成形樹脂6の反対面に、コア材の表面を覆う被服材が相互に溶着してなる絶縁層7を形成した半導体モジュール100とした。また、コア材の表面に被服剤が皮膜されてなる溶射材料粉末をプラズマ溶射法により溶射堆積させて絶縁層7を形成する半導体モジュール100の製造方法とした。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
1または複数の回路素子を搭載し、樹脂によって封止され、形成された半導体モジュールにおいて、
回路素子を搭載するための回路パターンが形成されたリードフレームと、
回路素子およびリードフレームを覆うように一方の面に設けられる成形樹脂と、
成形樹脂およびリードフレームを覆うように他方の面に設けられる絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層は、コア材の表面を覆う被服材が相互に溶着して形成された層であることを特徴とする半導体モジュール。
IPC (2):
FI (2):
H01L23/36 Z
, H01L23/36 A
F-Term (6):
5F036AA01
, 5F036BA23
, 5F036BB01
, 5F036BC06
, 5F036BD11
, 5F036BE01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (4)
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半導体パワーモジュール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平7-296457
Applicant:三菱電機株式会社
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ヒートシンクを備えた樹脂封止型半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-251446
Applicant:株式会社後藤製作所
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複合構造物の作製方法および作製装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-310585
Applicant:経済産業省産業技術総合研究所長, 東陶機器株式会社
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超微粒子材料吹き付け成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-205601
Applicant:独立行政法人産業技術総合研究所, 明渡純, 東陶機器株式会社
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Cited by examiner (8)
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特開平2-306654
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特開平4-209767
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半導体素子パツケージ
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-211634
Applicant:日立電線株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-052617
Applicant:新日本製鐵株式会社
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半導体モジュールおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-170395
Applicant:富士電機機器制御株式会社
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半導体装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-042695
Applicant:三菱電機株式会社
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特開平4-332155
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特開昭53-046282
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