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J-GLOBAL ID：201103014111126580

多勾配ドレインドーピング特性を持つ高電圧縦型トランジスタ

Inventor： スージット バーナジー ,  ドナルド レイ ディズニー
Applicant, Patent owner： パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
Agent (3)： 熊倉 禎男 ,  大塚 文昭 ,  西島 孝喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011143994
Publication number (International publication number)：2011233910
Application date： Jun. 29, 2011
Publication date： Nov. 17, 2011
Summary：

【課題】デバイスのオン状態及びオフ状態の両方の破壊電圧を同時に最適化する高電圧トランジスタ構造。【解決手段】高電圧トランジスタは、半導体基板のメサを定める第一及び第二の溝を含む。第一及び第二のフィールドプレート部材は、それぞれ、第一及び第二の溝に配置され、第一及び第二のフィールドプレート部材の各々は、誘電体層でメサから分離されている。メサは複数の部分を含み、各部分は、実質的に一定のドーピング濃度勾配を持ち、一の部分の勾配は、他の部分の勾配よりも少なくとも10%大きい。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

第一の導電型のドレイン領域、 前記第一の導電型のソース領域、 前記ソース領域に隣接する、前記第一の導電型と逆の第二の導電型の本体領域、 それぞれ、実質的に異なる第一及び第二のドーピング濃度勾配を持つ第一及び第二の部分を備える、前記ドレイン領域から前記本体領域への第一の方向に拡がり、前記第一の導電型のドリフト領域、 前記ドリフト領域から完全に絶縁されている、前記ドリフト領域の反対側にそれぞれ配置される第一及び第二のフィールドプレート部材、及び、 前記本体領域に隣接して配置される絶縁ゲート、 を備えることを特徴とする高電圧トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/06 ,  H01L 21/336

FI (9)：

H01L29/78 652H ,  H01L29/78 652P ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 301W ,  H01L29/78 301V ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/06 301F ,  H01L29/06 301V

F-Term (13)：

5F140AA25 ,  5F140AA30 ,  5F140AB04 ,  5F140AC21 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BF43 ,  5F140BH17 ,  5F140BH30 ,  5F140BH41 ,  5F140BH45 ,  5F140BJ25 ,  5F140CD08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-144730   Applicant：株式会社東芝