Pat
J-GLOBAL ID：201103015873690411
経時温度変化の変換を行うトランスデューサ、このトランスデューサを組み込んである電子チップ、およびこの電子チップの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
竹沢 荘一
, 中馬 典嗣
, 森 浩之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011103397
Publication number (International publication number)：2011237433
Application date： May. 06, 2011
Publication date： Nov. 24, 2011
Summary：
【課題】 従来用いられている大きな焦電係数を有する焦電材料で得られる感度に近い感度を有し、かつマイクロ電子製造方法によって容易に作製可能な焦電材料を用いた、経時温度変化から電位差への変換を行うトランスデューサを提供する。【解決手段】 このトランスデューサは、測定される経時温度変化をもたらす物体に対向するように作られている導電性の上部電極(40)と、導電性の下部電極(42)と、上部電極と下部電極との間に、機械的な外部応力が存在していない場合にも、経時温度変化に対応する電位差を発生させるために、上部電極と下部電極との間に配置されている少なくとも一層の焦電材料層(44)とを備えており、焦電材料層の少なくとも一層は、III-V窒化物をベースにしている層である。【選択図】図4
Claim (excerpt)：
測定される経時温度変化をもたらす物体に対向するように作られている導電性の上部電極(40)と、
導電性の下部電極(42)と、
前記上部電極と前記下部電極との間に、機械的な外部応力が存在していない場合にも、前記経時温度変化に対応する電位差を発生させるために、前記上部電極と前記下部電極との間に配置されている少なくとも一層の焦電材料層(44)とを備えている、経時温度変化から電位差への変換を行うトランスデューサであって、
前記焦電材料層の少なくとも一層は、III-V窒化物をベースにしている層であることを特徴とするトランスデューサ。
IPC (2)：
FI (2)：
G01J5/34 A
, A61B5/10 322
2G066AC13
, 2G066BA01
, 2G066BA02
, 2G066BA04
, 2G066BA51
, 2G066BC07
, 2G066BC15
, 2G066CA01
, 2G066CB01
, 4C038FF01
, 4C038FF05
, 4C038FF06
