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J-GLOBAL ID：201103015898726690

ぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法

Inventor： 舟窪 浩 ,  藤澤 隆志 ,  宇津木 覚 ,  河目 直之
Applicant, Patent owner： 国立大学法人東京工業大学 ,  キヤノンオプトロン株式会社
Agent (6)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  蛯谷 厚志 ,  小林 良博 ,  田崎 豪治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009206439
Publication number (International publication number)：2011057475
Application date： Sep. 07, 2009
Publication date： Mar. 24, 2011
Summary：

【課題】効率的にぺロブスカイト構造酸化物薄膜の結晶方位制御ができ、容易に高品位の正方晶系ぺロブスカイト構造酸化物薄膜を提供し得る方法を提供する。【解決手段】蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の(111)面上または(100)面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ(001)、(101)または(111)の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する(ただし、(100)面上に、(001)の単一結晶配向を有する場合を除く)。蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板は、金属サイトまたはFサイトの一部を他の元素で置換して格子定数を制御されていてもよい。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

蛍石型の結晶構造を有する金属フッ化物を主成分とする基板の(111)面上または(100)面上に、正方晶系の結晶構造を有し、かつ(001)、(101)または(111)の単一結晶配向を有するぺロブスカイト構造酸化物薄膜を作製する(ただし、(100)面上に、(001)の単一結晶配向を有する場合を除く)ことを特徴とするぺロブスカイト構造酸化物薄膜の作製方法。

IPC (8)：

C30B 29/32 ,  C23C 14/34 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  C23C 16/40

FI (7)：

C30B29/32 A ,  C23C14/34 N ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L27/10 444C ,  C23C16/40

F-Term (46)：

4G077AA03 ,  4G077AA07 ,  4G077AB02 ,  4G077BC41 ,  4G077BC42 ,  4G077BC43 ,  4G077DA11 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EF01 ,  4G077HA08 ,  4G077HA11 ,  4G077SB01 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA13 ,  4K029BA43 ,  4K029BB02 ,  4K029BC04 ,  4K029BC06 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  4K029DA08 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029EA01 ,  4K029GA00 ,  4K030AA11 ,  4K030BA42 ,  4K030BB01 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA17 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  5F083FR00 ,  5F083GA27 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA15 ,  5F083JA16 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA43 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22