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J-GLOBAL ID：201103016745247870

化合物

Inventor： 新海 征治 ,  原口 修一 ,  白木 智丈 ,  小川 雅司 ,  中谷 修平 ,  坂上 恵 ,  後藤 修 ,  柿本 秀信
Applicant, Patent owner： 財団法人九州先端科学技術研究所 ,  パナソニック株式会社 ,  住友化学株式会社
Agent (3)： 田中 光雄 ,  山田 卓二 ,  西下 正石
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009263203
Publication number (International publication number)：2011105655
Application date： Nov. 18, 2009
Publication date： Jun. 02, 2011
Summary：

【課題】光を照射して機能性薄膜の微細パターニングを行う場合に、光を照射する層の下地層の特性低下及び機能性薄膜の特性低下を抑制すること。 【解決手段】感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物(A)と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物(B)とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、親液性を有する基とを含む化合物(A)と、感光性を有する基であって光二量化反応をしうる基と、撥液性を有する基とを含む化合物(B)とを、光の照射により、二量化反応させて得られる化合物。

IPC (1)：

C07F 7/18

FI (1)：

C07F7/18 N

F-Term (11)：

2H125CB06 ,  2H125CC01 ,  2H125CC28 ,  2H125FA05 ,  4H049VN01 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ37 ,  4H049VR21 ,  4H049VR43 ,  4H049VU24 ,  4H049VW01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• デバイス、薄膜トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2009-263201   Applicant：財団法人九州先端科学技術研究所, パナソニック株式会社, 住友化学株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• Russian Chemical Bulletin, International Edition, (2005), Vol.54, No.5, p.1250-1253