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J-GLOBAL ID：201103025301202942

高強度超短パルスレーザー加工方法

Inventor： 増原 宏 ,  城田 靖彦 ,  朝日 剛 ,  細川 陽一郎
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000052687
Publication number (International publication number)：2001239379
Patent number：3779119
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Sep. 04, 2001
Claim (excerpt)：

【請求項1】 高強度超短パルスレーザーを、試料台上に設けられる固体状有機化合物に対して単発で照射し、レーザー光の半分が固体状有機化合物に吸収される領域の表面層のみが階段状に加工されることを特徴とする高強度超短パルスレーザー加工方法。

IPC (4)：

B23K 26/36 ( 200 6.01) ,  B23K 26/00 ( 200 6.01) ,  B23K 26/38 ( 200 6.01) ,  H01S 3/10 ( 200 6.01)

FI (4)：

B23K 26/36 ,  B23K 26/00 G ,  B23K 26/38 330 ,  H01S 3/10 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-111800
  
• レーザ加工方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-268044   Applicant：株式会社シンク・ラボラトリー