Pat
J-GLOBAL ID:201103032075180252
粒子線治療計画装置及び治療計画方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
井上 学
, 戸田 裕二
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010089126
Publication number (International publication number):2011217902
Application date: Apr. 08, 2010
Publication date: Nov. 04, 2011
Summary:
【課題】粒子治療計画装置において標的領域外の高線量領域の出現を抑制する治療計画情報を提供することにある。【解決手段】粒子線を照射する標的となる標的領域を入力する標的領域入力手段302と、標的領域を包含するように設定された照射領域の内部において粒子線を照射する照射スポットを決定する演算装置305を備え、演算装置305が照射領域の輪郭上に前記照射スポットを配置し、かつ、隣り合う照射スポットの間隔が予め定められた設定値以下となるように、照射スポットを決定する。このように粒子線の停止位置近辺の標的領域形状を抽出し、この形状内に一様な高線量領域が形成されるようにスポット間隔を領域内の位置に依存して変化させることで、標的領域での粒子線の照射線量が一様となる高線量領域と標的領域との乖離を抑制することが可能となる。【選択図】 図2
Claim (excerpt):
粒子線を照射する標的となる標的領域を入力する標的領域入力手段と、
前記標的領域を包含するように設定された照射領域内において、前記粒子線を照射する照射スポットを決定する演算装置を備え、
前記演算装置は、
前記照射領域の輪郭上に前記照射スポットを配置し、かつ、隣り合う前記照射スポットの間隔が予め定められた設定値以下となるように、前記照射スポットを決定することを特徴とする治療計画装置。
IPC (1):
FI (2):
F-Term (10):
4C082AC04
, 4C082AE01
, 4C082AG02
, 4C082AG12
, 4C082AG27
, 4C082AN02
, 4C082AP02
, 4C082AP03
, 4C082AP11
, 4C082AP12
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
荷電粒子ビーム出射装置及び荷電粒子ビーム照射方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-336861
Applicant:株式会社日立製作所
-
治療計画装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2004-282880
Applicant:株式会社日立製作所
Return to Previous Page