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J-GLOBAL ID：201103032630230163
研磨方法及び研磨装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (3)：
渡邉 勇
, 小杉 良二
, 廣澤 哲也
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010277942
Publication number (International publication number)：2011146695
Application date： Dec. 14, 2010
Publication date： Jul. 28, 2011
Summary：
【課題】Ga元素等を含有する化合物半導体の基板に対する所望の平坦度を有する表面仕上げを行うのに特に適した研磨方法及び研磨装置を提供し、これによって、例えばGa元素を含有する化合物半導体の基板表面を実用的な加工時間で表面精度高く平坦に加工できるようにする。【解決手段】弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水232の中で、Ga,Al及びInのいずれかを含有する化合物半導体の基板142の表面と、表面の少なくとも基板142と接触する部位に導電性部材264を有する研磨パッド242の該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、基板142の表面を研磨する。【選択図】図6
Claim (excerpt)：
弱酸性の水または空気が溶解した水、または電解イオン水の存在下で、Ga,Al及びInのいずれかを含有する化合物半導体の基板表面と、表面の少なくとも前記基板と接触する部位に導電性部材を有する研磨パッドの該表面とを互いに接触させつつ相対運動させて、前記基板表面を研磨することを特徴とする研磨方法。
IPC (1)：
FI (4)：
H01L21/304 621B
, H01L21/304 622F
, H01L21/304 622W
, H01L21/304 622C
5F057AA03
, 5F057AA24
, 5F057AA28
, 5F057BB05
, 5F057BB07
, 5F057BB08
, 5F057DA04
, 5F057DA08
, 5F057EA02
, 5F057EA29
, 5F057EA31
, 5F057EB02
, 5F057EB05
