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J-GLOBAL ID：201103033588978086

カーボンナノチューブ生成用再利用基材及びカーボンナノチューブ生成用基材並びにその製造方法

Inventor： 高井 広和 ,  畠 賢治 ,  湯村 守雄
Applicant, Patent owner： 日本ゼオン株式会社 ,  独立行政法人産業技術総合研究所
Agent (1)： 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009218746
Publication number (International publication number)：2011068501
Application date： Sep. 24, 2009
Publication date： Apr. 07, 2011
Summary：

【課題】基材を繰り返し再利用しても高品質なカーボンナノチューブの生成を安定に高効率に実現することのできる、低コストのカーボンナノチューブ生成用再利用基材及びその製造方法等を提供する。【解決手段】本発明のカーボンナノチューブ生成用再利用基材は、基材と、前記基材の表面上に設けられており、触媒の下地となる下地層と、前記下地層の表面であって、前記基材とは反対側の表面に設けられており、炭素成分を含まない触媒微粒子を少なくとも1つ備える触媒層と、を備える。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基材と、 前記基材の表面上に設けられており、触媒の下地となる下地層と、 前記下地層の表面であって、前記基材とは反対側の表面に設けられており、炭素成分を含まない触媒微粒子を少なくとも1つ備える触媒初期化層と、 を備えるカーボンナノチューブ生成用再利用基材。

IPC (3)：

C01B 31/02 ,  B01J 23/745 ,  B01J 23/94

FI (3)：

C01B31/02 101F ,  B01J23/74 301M ,  B01J23/94 M

F-Term (30)：

4G146AA12 ,  4G146AB06 ,  4G146AC03B ,  4G146AC09B ,  4G146AC16B ,  4G146AC22B ,  4G146AC27B ,  4G146AD05 ,  4G146AD22 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BB22 ,  4G146BB23 ,  4G146BC09 ,  4G146BC23 ,  4G146BC33B ,  4G146BC42 ,  4G146BC44 ,  4G169AA03 ,  4G169AA08 ,  4G169BA01B ,  4G169BC66B ,  4G169CB81 ,  4G169DA05 ,  4G169EA08 ,  4G169EB15Y ,  4G169FA03 ,  4G169FA08 ,  4G169FB02 ,  4G169FB58

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• カーボンファイバの製造方法、基板カートリッジおよび熱CVD装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-278885   Applicant：ソナック株式会社
• カーボンナノチューブ製造用炭素材料
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-057959   Applicant：JFEエンジニアリング株式会社