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J-GLOBAL ID：201103034193421151

単結晶窒化ケイ素ナノシートとその製造方法

Inventor： 田口 富嗣 ,  社本 真一 ,  井川 直樹
Applicant, Patent owner： 独立行政法人 日本原子力研究開発機構
Agent (11)： 社本 一夫 ,  小野 新次郎 ,  小林 泰 ,  千葉 昭男 ,  富田 博行 ,  桜井 周矩 ,  神田 藤博 ,  田中 英夫 ,  細川 伸哉 ,  深澤 憲広 ,  平山 晃二
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004352353
Publication number (International publication number)：2006160548
Patent number：4572382
Application date： Dec. 06, 2004
Publication date： Jun. 22, 2006
Claim (excerpt)：

【請求項1】 出発原料としてケイ素粉末を用い、窒素雰囲気中で非密封状態の容器中に入れ、1300°C〜1400°C(ケイ素粉末の溶融点以下)の温度及び電気炉内断面積が25cm2あたり0.5l/min以上の窒素ガス流量で、30時間反応させて、1μm×1μm以上で厚みが20nm以下の単結晶窒化ケイ素ナノシートを製造する方法。

IPC (1)：

C01B 21/068 ( 200 6.01)

FI (1)：

C01B 21/068 D

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (12)

• 特開昭63-151603
  
• 特開昭61-266305
  
• 特開平1-201012
  
• 窒化ケイ素粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-034382   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高純度窒化ケイ素粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-307169   Applicant：電気化学工業株式会社
• 特公昭55-050882
  
• 窒化珪素ウイスカーの形態制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-113750   Applicant：大倉工業株式会社
• 窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-021044   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構
• 特公昭49-027755
  
• 特開平2-196009
  
• 特開平4-139005
  
• 単結晶のα型窒化珪素ナノリボンの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-203849   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Cited by examiner (6)

• 特開昭63-151603
  
• 特開昭61-266305
  
• 特開平1-201012
  
• 窒化ケイ素粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-034382   Applicant：信越化学工業株式会社
• 高純度窒化ケイ素粉末の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-307169   Applicant：電気化学工業株式会社
• 特公昭55-050882