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J-GLOBAL ID:200903056445836134
高純度窒化ケイ素粉末の製造方法
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001307169
Publication number (International publication number):2003112977
Application date: Oct. 03, 2001
Publication date: Apr. 18, 2003
Summary:
【要約】【課題】半導体用冶具や回路基板等の電子部品の用途として好適な高純度窒化ケイ素粉末を、量産性に優れる直接窒化法によって製造すること。【解決手段】3B、5B(窒素を含まず)族元素の合計が100μg/g以下、7B族元素の合計が50μg/g以下、平均粒子径が10〜20μmである金属シリコン粉末原料を、窒素又は窒素とアンモニアを含む窒素分圧30KPa以上の雰囲気下、温度を漸次高め、平均反応速度2.0%/hr以下で、しかも温度1300°C迄における累積反応率を85%以上にして窒化させ、得られた窒化ケイ素インゴットを粉砕することを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造方法。
Claim (excerpt):
3B、5B(窒素を含まず)族元素の合計が100μg/g以下、7B族元素の合計が50μg/g以下、平均粒子径が10〜20μmである金属シリコン粉末原料を、窒素又は窒素とアンモニアを含む窒素分圧30KPa以上の雰囲気下、温度を漸次高め、平均反応速度2.0%/hr以下で、しかも温度1300°C迄における累積反応率を85%以上にして窒化させ、得られた窒化ケイ素インゴットを粉砕することを特徴とする窒化ケイ素粉末の製造方法。
IPC (2):
C04B 35/626
, C01B 21/068
FI (3):
C01B 21/068 D
, C04B 35/00 A
, C04B 35/58 102 Q
F-Term (7):
4G001BA62
, 4G001BB32
, 4G001BC01
, 4G030AA52
, 4G030BA01
, 4G030BA19
, 4G030GA01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (8)
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窒化ケイ素粉末及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-353684
Applicant:電気化学工業株式会社
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窒化ケイ素粉末及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-284902
Applicant:電気化学工業株式会社
-
高純度窒化珪素微粒子の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-143640
Applicant:電気化学工業株式会社
-
窒化珪素粉末、窒化珪素粉末の製造方法及び窒化珪素質焼結体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-211549
Applicant:信越化学工業株式会社
-
高α型窒化ケイ素粉末の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-150126
Applicant:信越化学工業株式会社
-
窒化珪素の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-178797
Applicant:電気化学工業株式会社
-
窒化ケイ素の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-311672
Applicant:電気化学工業株式会社
-
高α型窒化ケイ素の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-231597
Applicant:電気化学工業株式会社
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