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J-GLOBAL ID：201103034408079220

蓄積リング型自由電子レーザー装置とその高輝度化方法

Inventor：
清 紀弘

About 清 紀弘

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山田 家和勝

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小川 博嗣

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安本 正人

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Applicant, Patent owner：
独立行政法人産業技術総合研究所

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Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2004055106
Publication number (International publication number)：2005244109
Patent number：4403269
Application date： Feb. 27, 2004
Publication date： Sep. 08, 2005
Claim (excerpt)：
【請求項1】蓄積リング型自由電子レーザー装置は、 光共振器と、 電子ビームと光パルスとの重畳を調節するRFキャビティと、 電子バンチ電流を検出する電流モニタと、 制御用コンピュータを備え、 前記光共振器は、 自由電子レーザーミクロパルスの光量を調節するチョッパー装置と、 該光共振器から出力される自由電子レーザーミクロパルスを測定する光検出器を有し、 前記チョッパー装置は、 位相調整器を介して決められたタイミングで自由電子レーザーミクロパルスの光量を調整するように設置され、pre-narrowingの動作時間を決定するように開閉する切り欠きおよび前記pre-narrowingの動作時間に連なるQスイッチの動作時間を決定するように開閉する切り欠きを設けた高速チョッパーと、 前記pre-narrowingの動作時間およびQスイッチの動作時間と前記Qスイッチの動作時間の後で前記pre-narrowingの動作時間の前のもとの状態まで冷却する時間間隔を決定するように開閉する切り欠きを設けた低速チョッパーと、 チョッパーを移動させる精密位置調整器にて構成され、 前記制御用コンピュータは、 前記電流モニタの検出電流および前記光検出器のパルス強度を取り込み、これらに基づいて、前記精密位置調整器を介して前記チョッパーを移動して光パルス値を調整して、 有効利得が0を越えた小さな正の値をとり自由電子レーザー強度がcw発振の強度未満の状態ではQスイッチを行わず、自由電子レーザー強度がcw発振の強度に達してから利得を解放しQスイッチを行うように制御する ことを特徴とする蓄積リング型自由電子レーザー装置。
IPC (2)：
H01S 3/30 ( 200 6.01) ,  H01S 3/121 ( 200 6.01)
FI (2)：
H01S 3/30 A ,  H01S 3/121
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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