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J-GLOBAL ID：201103038511002711
バイポーラトランジスタとその製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：1997352746
Publication number (International publication number)：1999186280
Patent number：3262056
Application date： Dec. 22, 1997
Publication date： Jul. 09, 1999
Claim (excerpt)：
【請求項1】半導体基板上にエミッタコンタクト層、禁制帯幅Eg1を有する不純物濃度N1を有するエミッタ層、禁制帯幅Eg2を有する不純物濃度N2を有するエミッタ緩衝層、禁制帯幅Eg3を有するベース層、コレクタ層を順次積層したトランジスタ領域と、前記半導体基板上にエミッタコンタクト層、禁制帯幅Eg1を有する前記エミッタ層、前記ベース層につながり禁制帯幅Eg3’を有する外部ベース層を順次積層したトランジスタ外部領域とを備えたバイポーラトランジスタであり、前記エミッタ層の禁制帯幅Eg1が、前記エミッタ緩衝層の禁制帯幅Eg2に等しく、前記エミッタ層の不純物濃度N1とエミッタ緩衝層の不純物濃度N2とは、N1<N2なる関係を満たし、かつ、Eg1>Eg3’≧Eg3であることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
IPC (3)：
H01L 21/331
, H01L 29/205
, H01L 29/737
H01L 29/205
, H01L 29/72 H
Cited by examiner (8)
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