表面プラズモン共鳴チップ

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：世良和信 , 和久田純一 , 中村剛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009264019
Publication number (International publication number)：2011107032
Application date： Nov. 19, 2009
Publication date： Jun. 02, 2011
Summary：

【課題】全反射光を入射する表面プラズモン共鳴センサにおいてP波とS波の偏光成分が混在する光が入射した場合にも、S波成分によってセンサの感度が低下することを抑制できる技術を提供する。【解決手段】金属層6が形成されたセンサチップ1において、光の入射面と平行な複数の溝からなるナノ溝構造5をセンサチップ1の表面に設けることで、入射光のS波成分(入射面に対して垂直な電界成分)についてはナノ溝構造において発生する局在型表面プラズモン共鳴によって吸収し、また、入射光のP波成分についてはナノ溝の影響を受けずに伝搬型表面プラズモン共鳴を発生させることとし、S波成分による、表面プラズモン共鳴センサのS/N比の低下を抑制する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板と、前記基板の表面の少なくとも一部を覆うように形成された金属層とを有し、前記基板の前記金属層が形成された表面とは異なる面から入射され、前記基板を透過した入射光を前記基板における前記金属層が形成された表面で全反射させることで、前記金属中において伝搬型の表面プラズモン共鳴を発生させる、表面プラズモン共鳴チップであって、前記基板の表面の前記金属層が形成されている部分には、前記表面を金属層側から見た際に、前記入射光の入射面に平行方向に設けられた複数の溝からなる溝構造を有することを特徴とする表面プラズモン共鳴チップ。

IPC (1)：

G01N 21/27

FI (1)：

G01N21/27 C

F-Term (14)：

2G059AA05 , 2G059BB12 , 2G059CC16 , 2G059DD12 , 2G059EE02 , 2G059EE12 , 2G059FF04 , 2G059GG01 , 2G059HH02 , 2G059HH03 , 2G059HH06 , 2G059JJ11 , 2G059JJ12 , 2G059JJ19

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-054226 Applicant：オムロン株式会社
表面プラズモンセンサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-297575 Applicant：株式会社フジクラ

Cited by examiner (2)

表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2007-054226 Applicant：オムロン株式会社
表面プラズモンセンサー
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2004-297575 Applicant：株式会社フジクラ

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