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J-GLOBAL ID:200903038049633478

表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中野 雅房
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2007054226
Publication number (International publication number):2008216055
Application date: Mar. 05, 2007
Publication date: Sep. 18, 2008
Summary:
【課題】高感度の局在型表面プラズモン共鳴センサ及び当該センサ用チップを提供する。【解決手段】センサ用チップは基板51の表面に金属層52を形成したものであり、金属層52の表面の測定領域44には複数の微細な凹部57が設けられている。この測定領域に直線偏光の光を照射すると、凹部57内の対向する金属層表面において局在的な共鳴電界が発生する。この反射光を受光し、そこでの反射率を測定する。直線偏光の光は、その偏光面が凹部57の長手方向に直交するように照射される。【選択図】図12
Claim (excerpt):
表面プラズモン共鳴センサ用チップと、 前記表面プラズモン共鳴センサ用チップに光を照射する光源と、 前記表面プラズモン共鳴センサ用チップで反射した光を受光する光検出器とからなる表面プラズモン共鳴センサにおいて、 前記表面プラズモン共鳴センサ用チップは、基板と、前記基板の表面の少なくとも一部を覆うように形成された金属層とを有し、前記金属層の表面には複数の凹部が形成されており、 前記凹部内の内壁面は、少なくとも一組の対向する金属層表面を有しており、前記対向する金属層表面において局在的な共鳴電界を発生させ、 前記光源から出て前記センサ用チップの表面に入射し、前記金属層の表面の前記凹部を含む領域で反射した光を前記光検出器で受光することにより、前記センサ用チップにおける反射率又は前記光検出器で受光した光強度を測定することを特徴とする、表面プラズモン共鳴センサ。
IPC (1):
G01N 21/27
FI (1):
G01N21/27 C
F-Term (11):
2G059AA06 ,  2G059CC16 ,  2G059GG10 ,  2G059HH01 ,  2G059HH02 ,  2G059JJ11 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ19 ,  2G059JJ22 ,  2G059KK04 ,  2G059LL02
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2) Cited by examiner (11)
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