化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：特許業務法人山口国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010026986
Publication number (International publication number)：2011162844
Application date： Feb. 09, 2010
Publication date： Aug. 25, 2011
Summary：

【課題】精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、化合物半導体極細線集合体を提供する。【解決手段】電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

複数のナノサイズの微細貫通孔を有するテンプレートを形成する工程と、電析法を用いて、前記テンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素が合金化された状態で前記化合物半導体を充填する工程とを有する化合物半導体極細線の製造方法。

IPC (7)：

C25D 7/00 , B82B 3/00 , B82B 1/00 , C25D 5/50 , C25D 1/00 , C25D 5/10 , C01B 19/04

FI (7)：

C25D7/00 R , B82B3/00 , B82B1/00 , C25D5/50 , C25D1/00 381 , C25D5/10 , C01B19/04 H

F-Term (8)：

4K024AA17 , 4K024AB04 , 4K024BA12 , 4K024BC07 , 4K024CA01 , 4K024CA03 , 4K024CA16 , 4K024DB01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

特表平6-507143
電析による化合物薄膜の製造方法及びその化合物薄膜
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-246668 Applicant：科学技術振興事業団
ナノ構造体及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-290536 Applicant：キヤノン株式会社

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