磁気センサおよびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：三反崎泰司 , 藤島洋一郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009175669
Publication number (International publication number)：2011027633
Application date： Jul. 28, 2009
Publication date： Feb. 10, 2011
Summary：

【課題】コンパクトな構成でありながら磁場の検出性能に優れ、かつ容易に製造可能な磁気センサを提供する。【解決手段】磁化固着層63と介在層62と磁化自由層61とを順にそれぞれ含むと共に、信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第1および第2のMR素子を備える。第1および第2のMR素子における磁化固着層63が、介在層62の側から順にピンド層631と、結合層632と、ピンド層631と反強磁性結合するピンド層633とを含むシンセティック構造を有する。第1のMR素子における磁化固着層63は、ピンド層361の総磁気モーメントがピンド層633の総磁気モーメントと一致もしくはピンド層633の総磁気モーメントよりも大きなものである。一方、第2のMR素子における磁化固着層63は、ピンド層633の総磁気モーメントがピンド層631の総磁気モーメントよりも大きなものである。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

一定方向に固着された磁化を有する磁化固着層と、非磁性の介在層と、信号磁場に応じて磁化の向きが変化する磁化自由層とを順にそれぞれ含むと共に、前記信号磁場によって互いに反対向きの抵抗変化を示す第1および第2の磁気抵抗効果素子を備え、前記第1および第2の磁気抵抗効果素子の双方における前記磁化固着層または磁化自由層が、前記介在層の側から順に第1の強磁性層と、結合層と、前記結合層を介して前記第1の強磁性層と反強磁性結合する第2の強磁性層とを含むシンセティック構造を有し、前記第1の磁気抵抗効果素子におけるシンセティック構造は、前記第1の強磁性層の総磁気モーメントが前記第2の強磁性層の総磁気モーメントと一致もしくは前記第2の強磁性層の総磁気モーメントよりも大きなものであり、前記第2の磁気抵抗効果素子におけるシンセティック構造は、前記第2の強磁性層の総磁気モーメントが前記第1の強磁性層の総磁気モーメントよりも大きなものであることを特徴とする磁気センサ。

IPC (3)：

G01R 33/09 , H01L 43/08 , H01L 43/12

FI (3)：

G01R33/06 R , H01L43/08 Z , H01L43/12

F-Term (29)：

2G017AB07 , 2G017AD55 , 2G017AD56 , 2G017AD64 , 2G017BA05 , 5F092AB01 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092BB03 , 5F092BB04 , 5F092BB05 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB55 , 5F092BB81 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC08 , 5F092CA23 , 5F092CA25 , 5F092EA01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

巨大磁気抵抗効果素子を備える磁気センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-083241 Applicant：ヤマハ株式会社
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、及びメモリー素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-234284 Applicant：松下電器産業株式会社

Return to Previous Page