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J-GLOBAL ID：200903012217099122

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気記録装置、及びメモリー素子

Inventor：
榊間 博

About 榊間 博

, 
川分 康博

About 川分 康博

, 
杉田 康成

About 杉田 康成


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001234284
Publication number (International publication number)：2002190630
Application date： Aug. 01, 2001
Publication date： Jul. 05, 2002
Summary：
【要約】【課題】 熱的安定性に優れた交換結合膜付の磁気抵抗効果素子を得る。【解決手段】 磁気抵抗効果素子100は、外部磁界により容易に磁化回転する自由層101と、非磁性層103と、非磁性層103に対して自由層101側に設けられ外部磁界により容易には磁化回転しない固定層102とを含む磁気効果素子であって、固定層102は、第1交換結合用非磁性膜104と、第1交換結合用非磁性膜104を介して反強磁性的に交換結合した第1および第2磁性膜105、106とを含み、第1交換結合用非磁性膜104は、Ru、Ir、Rh、Reのいずれかの酸化物を含む。
Claim (excerpt)：
外部磁界により容易に磁化回転する自由層と、非磁性層と、該非磁性層に対して該自由層と反対側に設けられ外部磁界により容易には磁化回転しない固定層とを含む磁気抵抗効果素子であって、該固定層は、第1交換結合用非磁性膜と、該第1交換結合用非磁性膜を介して反強磁性的に交換結合した第1および第2磁性膜とを含み、該第1交換結合用非磁性膜は、Ru、Ir、Rh、Reのいずれかの酸化物を含む磁気抵抗効果素子。
IPC (9)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/105
FI (9)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/16 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R
F-Term (18)：
2G017AA02 ,  2G017AB05 ,  2G017AD55 ,  5D034AA02 ,  5D034BA03 ,  5D034BB01 ,  5D034CA03 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049BA12 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049GC01 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA01 ,  5F083GA11 ,  5F083JA37 ,  5F083PR22
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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