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J-GLOBAL ID：201103044525649254

等電点均一化Fab’抗体の製造方法および蛍光標識等電点均一化Fab’抗体

Inventor： 久田 素 ,  伊藤 由紀子 ,  松本 浩幸 ,  志村 清仁 ,  笠井 献一
Applicant, Patent owner： 浜松ホトニクス株式会社
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000590460
Patent number：3461804
Application date： Feb. 10, 2000
Claim (excerpt)：

【請求項1】Fab’抗体のVH領域とCH1領域とをコードするFd鎖遺伝子を提供する第1の工程と、前記Fd鎖遺伝子において、前記CH1領域のアミド基含有アミノ酸残基をコードするコドンの少なくとも一つを、システインを除くアミド基非含有アミノ酸残基をコードするコドンに部位特異的変異させて、改変Fd鎖遺伝子を得る第2の工程と、前記改変Fd鎖遺伝子と、前記Fab’抗体のL鎖をコードするL鎖遺伝子とを発現可能な状態で連結させ、改変Fab’抗体発現遺伝子を得る第3の工程と、前記改変Fab’抗体発現遺伝子で宿主細胞を形質転換し、得られた形質転換体を培養することにより等電点均一化Fab’抗体を得る第4の工程と、を含む、等電点均一化Fab’抗体の製造方法。

IPC (4)：

C12N 15/09 ZNA ,  C07K 1/13 ,  C07K 16/18 ,  C12P 21/08

FI (4)：

C07K 1/13 ,  C07K 16/18 ,  C12P 21/08 ,  C12N 15/00 ZNA A