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J-GLOBAL ID：201103044525649254
等電点均一化Fab’抗体の製造方法および蛍光標識等電点均一化Fab’抗体
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
長谷川 芳樹 (外2名)
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2000590460
Patent number：3461804
Application date： Feb. 10, 2000
Claim (excerpt)：
【請求項1】Fab’抗体のVH領域とCH1領域とをコードするFd鎖遺伝子を提供する第1の工程と、前記Fd鎖遺伝子において、前記CH1領域のアミド基含有アミノ酸残基をコードするコドンの少なくとも一つを、システインを除くアミド基非含有アミノ酸残基をコードするコドンに部位特異的変異させて、改変Fd鎖遺伝子を得る第2の工程と、前記改変Fd鎖遺伝子と、前記Fab’抗体のL鎖をコードするL鎖遺伝子とを発現可能な状態で連結させ、改変Fab’抗体発現遺伝子を得る第3の工程と、前記改変Fab’抗体発現遺伝子で宿主細胞を形質転換し、得られた形質転換体を培養することにより等電点均一化Fab’抗体を得る第4の工程と、を含む、等電点均一化Fab’抗体の製造方法。
IPC (4)：
C12N 15/09 ZNA
, C07K 1/13
, C07K 16/18
, C12P 21/08
C07K 1/13
, C07K 16/18
, C12P 21/08
, C12N 15/00 ZNA A
