グラフェンフィルム製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009199126
Publication number (International publication number)：2011051801
Application date： Aug. 31, 2009
Publication date： Mar. 17, 2011
Summary：

【課題】サイズが大きく一様でまた転写が容易なグラフェンフィルムを提供する。【解決手段】HOPG基板100の表面にNiなどの触媒層101をデポジットする。このような触媒層付きHOPG基板を所定時間高温に維持し、その後冷却することで、HOPG基板から供給される炭素により触媒層の上に形成された、高品質でサイズの大きなグラフェンフィルム102が得られる。エッチングなどで触媒層を除去することにより、グラフェンフィルム101をHOPG基板から分離することができる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

以下の(a)から(d)のステップを設けたグラフェンフィルム製造方法。 (a) HOPG基板を準備する。 (b) 前記HOPG基板上に触媒層を設ける。 (c) 前記触媒層が設けられた前記HOPG基板を所定時間加熱する。 (d) 前記HOPG基板を冷却する。

IPC (1)：

C01B 31/04

FI (1)：

C01B31/04 101Z

F-Term (16)：

4G146AA02 , 4G146AB07 , 4G146AD21 , 4G146BA02 , 4G146BA41 , 4G146BB06 , 4G146BB15 , 4G146BB22 , 4G146BC02 , 4G146BC27 , 4G146BC33B , 4G146BC38B , 4G146BC42 , 4G146BC43 , 4G146BC44 , 4G146CB35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

単結晶基板上にエピタキシャル成長したグラフェン層を含むデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2008-555294 Applicant：アルカテル-ルーセントユーエスエーインコーポレーテッド
自己再生型カーボンナノチューブ・グラファイト混合膜の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-120459 Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

C-固溶Ni(111)表面上での外部炭素ソースを用いないカーボンナノワイヤの創製 Fabrication of Car
C-固溶Ni(111)表面上での外部炭素ソースを用いないカーボンナノワイヤの創製 Fabrication of Car

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