Pat

J-GLOBAL ID：201103044942790407

半導体装置

Inventor： 久本 大 ,  土屋 龍太 ,  伊藤 清男
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009158360
Publication number (International publication number)：2011014753
Application date： Jul. 03, 2009
Publication date： Jan. 20, 2011
Summary：

【課題】 従来の比例縮小側(係数α、α>1)を適用した平面型MOSTのしきい電圧のばらつきの標準偏差σ(VT)が、微細化とともに、すなわちαを大きくするとともに大きくなり、動作電圧が低くできないという問題がある。【解決手段】 フィンの高さをチャンネル長よりも高くしたFinFET構造によって上記の問題を解決する。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

シリコン基板上に形成されたシリコンの第1のフィンと前記第1のフィンの少なくとも側面に絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有するMOSトランジスタを具備し、 前記MOSトランジスタのチャンネル幅は、前記第1のフィンの高さ方向で決まるように前記第1のフィンの側面に形成され、 前記シリコン基板に平行な第1方向の前記第1のフィンの幅は、最下層の金属配線層の配線ピッチの半分より小さいことを特長とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 29/786 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (9)：

H01L29/78 618C ,  H01L29/78 617J ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/10 621Z ,  H01L27/10 651 ,  H01L27/04 C ,  H01L27/10 671Z ,  H01L27/10 671C

F-Term (71)：

5F038AC03 ,  5F038AC04 ,  5F038AC05 ,  5F038AC07 ,  5F038AC14 ,  5F038AC15 ,  5F038CD04 ,  5F038DF05 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ10 ,  5F038EZ20 ,  5F083AD01 ,  5F083AD02 ,  5F083AD03 ,  5F083AD48 ,  5F083HA02 ,  5F083JA02 ,  5F083JA06 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083LA19 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F110AA04 ,  5F110AA08 ,  5F110AA09 ,  5F110BB03 ,  5F110BB06 ,  5F110BB07 ,  5F110CC10 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD22 ,  5F110EE05 ,  5F110EE14 ,  5F110EE38 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG34 ,  5F110HJ13 ,  5F110HL02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA02 ,  5F140AA39 ,  5F140AB01 ,  5F140AB09 ,  5F140AC32 ,  5F140AC33 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BB05 ,  5F140BC15 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG34 ,  5F140BJ05 ,  5F140CB04 ,  5F140CC08 ,  5F140CC12 ,  5F140CE06 ,  5F140CE07 ,  5F140CE20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-110237   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 半導体集積回路装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-316686   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-150519   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-224740   Applicant：株式会社東芝