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J-GLOBAL ID：201103049638330191
高抵抗電極を用いたピクセル型電極による粒子線画像検出器
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
特許業務法人グローバル知財
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010117877
Publication number (International publication number)：2011247602
Application date： May. 23, 2010
Publication date： Dec. 08, 2011
Summary：
【課題】電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を自発的に抑制でき、動作の安定性を向上できるピクセル型電極の粒子線画像検出器を提供する。【解決手段】本粒子線画像検出器は、絶縁体基板を貫通し上端面が絶縁体基板の表面に露出する円柱状陽極電極を有し、絶縁体基板の裏面に形成される陽極電極パターンと、円柱状陽極電極の上端面の回りに円形状の開口部を有し、絶縁体基板の表面に形成される陰極電極パターンと、を具備するピクセル型電極の粒子線画像検出器において、陰極電極パターンの表面が10Ω・m以上1000Ω・m以下の比抵抗を有する高抵抗性素材により被覆される。これにより、電極間に局地的に大電流が流れるような放電現象を、電圧降下作用により自発的に抑制でき、動作の安定性を向上できる。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
絶縁体基板を貫通し上端面が前記絶縁体基板の表面に露出する円柱状陽極電極を有し、前記絶縁体基板の裏面に形成される陽極電極パターンと、前記円柱状陽極電極の上端面の回りに円形状の開口部を有し、前記絶縁体基板の表面に形成される陰極電極パターンと、を具備するピクセル型電極の粒子線画像検出器において、
前記陰極電極パターンの表面が10Ω・m以上1000Ω・m以下の比抵抗を有する高抵抗性素材により被覆されたことを特徴とする粒子線画像検出器。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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