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J-GLOBAL ID：201103050073072965
半導体層の検査方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：
山田 卓二
, 田中 光雄
, 竹内 三喜夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2011023447
Publication number (International publication number)：2011101049
Application date： Feb. 07, 2011
Publication date： May. 19, 2011
Summary：
【課題】半導体層の表面状態を短時間で精度良く測定できる半導体層の検査方法を提供する。【解決手段】単色プローブ光は試料Sに照射され(ステップc1)、励起光は強度変調されて試料Sに照射される(ステップc2)。ロックインアンプ137の位相調整を行った後(ステップc3)、光学フィルタ132を用いて散乱した励起光を遮蔽し、信号検出器133にはプローブ光のみが入るようにする(ステップc4)。分光器113を掃引し、試料Sから反射されたプローブ光を信号検出器133で電気信号に変換する(ステップc5)。得られた信号は、バンドパスフィルタ回路135を通して、反射率Rに相当する直流成分と変調反射率ΔRに相当する交流成分に分け(ステップc6)、それぞれ直流電圧計136とロックインアンプ137で計測する(ステップc7)。コンピュータ140は、各計測値を用いてΔR/Rを計算し、PRスペクトルを得る(ステップc8)。【選択図】図13
Claim (excerpt)：
基板上に形成された半導体層に光を照射するステップと、
該半導体層の物理的特性が変化するように、該半導体層に対して所定周波数の変調を印加するステップと、
該半導体層からの反射光を検出するステップと、
検出した反射光信号の中から変調周波数の成分を取り出すステップと、
照射光の波長を変化させて、半導体層で発生する励起子に特有な反射スペクトルを計測するステップとを含むことを特徴とする半導体層の検査方法。
IPC (1)：
FI (2)：
H01L21/66 N
, H01L21/66 J
4M106AA01
, 4M106AA10
, 4M106BA04
, 4M106CA46
, 4M106CB19
, 4M106DH12
, 4M106DH31
, 4M106DJ20
, 4M106DJ21
, 4M106DJ23
Cited by applicant (3)
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特開平2-307046号公報
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基板表面の電圧分布の検査装置
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-195683
Applicant：株式会社ニコン
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半導体ウエハーの選別方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2002-023005
Applicant：日本電信電話株式会社
Cited by examiner (1)
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