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J-GLOBAL ID：201103050138417914

光電変換素子および光電変換方法

Inventor：
堂本 千秋

About 堂本 千秋


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009230277
Publication number (International publication number)：2011077474
Application date： Oct. 02, 2009
Publication date： Apr. 14, 2011
Summary：
【課題】 量子効率の高い光電変換素子および光電変換方法を提供する。 【解決手段】 本発明の光電変換素子10は、バンドギャップEgと、電子準位および励起準位の間のエネルギの差Edと、が同じである第1の量子井戸を有している、複数の励起領域40aと、1つの第1の量子井戸の電子準位から他の第1の量子井戸の励起準位に共鳴トンネル現象で電子を導く複数の第2の量子井戸を有している、複数のトンネル領域40bと、を有しており、励起領域40aと、トンネル領域40bと、が交互に重なって設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
バンドギャップと、電子準位および励起準位の間のエネルギの差と、が同じである第1の量子井戸を有している、複数の励起領域と、 1つの前記第1の量子井戸の電子準位から他の前記第1の量子井戸の励起準位に共鳴トンネル現象で電子を導く複数の第2の量子井戸を有している、少なくとも1つのトンネル領域と、を有しており、 前記励起領域と、前記トンネル領域と、が交互に重なって設けられている、ことを特徴とする光電変換素子。
IPC (2)：
H01L 31/10 ,  H01L 31/04
FI (2)：
H01L31/10 A ,  H01L31/04 E
F-Term (10)：
5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049QA16 ,  5F051AA08 ,  5F051DA04 ,  5F051DA13 ,  5F151AA08 ,  5F151DA04 ,  5F151DA13
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開昭63-246626
  • アバランシェダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-127556   Applicant：浜松ホトニクス株式会社
  • 特開平2-231777
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