Pat
J-GLOBAL ID:201103050933691714
積層体及びその製造方法
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2):
小宮 良雄
, 大西 浩之
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2009213242
Publication number (International publication number):2011063452
Application date: Sep. 15, 2009
Publication date: Mar. 31, 2011
Summary:
【課題】基材上に高純度で高品質な結晶薄膜が形成されており、その結晶特性を充分に発揮することのできる積層体、及びその積層体を従来のフラックス法に比べて、低コストで簡便に形成することができ、大型のものを大量に製造できる簡便な製造方法を提供する。【解決手段】積層体は、アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され積層している積層体であり、基材にコーティングされた結晶原材料と硝酸塩等のフラックスとが加熱等により結晶成長してナノ無機結晶が形成されている。【選択図】なし
Claim (excerpt):
アルカリ金属とアルカリ土類金属と遷移金属と卑金属との少なくとも何れかの金属の酸化物、炭酸塩、シュウ酸塩、硝酸塩、塩化物、フッ化物、リン酸塩、アンモニウム塩、及び有機化合物から選ばれる結晶原材料から得られたアパタイト、アルカリ土類金属酸化物、遷移金属酸化物、遷移金属含有複酸化物、卑金属酸化物、卑金属含有複酸化物、又はそれらのドーパント含有化合物からなるナノ無機結晶が、基材上に形成され、積層している積層体であって、
該基材にコーティングされた該結晶原材料と、硝酸塩、炭酸塩、硫酸塩、シュウ酸塩、クエン酸塩、塩化物、フッ化物、酸化物、水酸化物、及びアンモニウム塩から選ばれるフラックスとが加熱、活性エネルギー線照射又はプラズマ処理により結晶成長して該ナノ無機結晶が形成されたことを特徴とする積層体。
IPC (13):
C30B 29/62
, C30B 9/12
, C01B 25/32
, C01G 23/00
, C01G 9/02
, C01G 19/02
, C01G 33/00
, C01G 51/00
, C01G 41/00
, C01F 17/00
, B82B 1/00
, B82B 3/00
, C01B 25/455
FI (14):
C30B29/62 E
, C30B9/12
, C01B25/32 Z
, C01G23/00 B
, C01B25/32 Q
, C01G9/02 B
, C01G19/02 C
, C01G33/00 A
, C01G51/00 A
, C01G41/00 A
, C01F17/00 D
, B82B1/00
, B82B3/00
, C01B25/455
F-Term (51):
4G047AA02
, 4G047AB01
, 4G047AB04
, 4G047AD02
, 4G047CA06
, 4G047CA07
, 4G047CB04
, 4G047CC03
, 4G047CD02
, 4G048AA04
, 4G048AB01
, 4G048AC04
, 4G048AD02
, 4G048AE05
, 4G076AA05
, 4G076AB04
, 4G076AC08
, 4G076BA39
, 4G076BD02
, 4G076CA10
, 4G076DA01
, 4G076DA04
, 4G076DA11
, 4G077AA04
, 4G077BB07
, 4G077BB09
, 4G077BC31
, 4G077BC41
, 4G077BC42
, 4G077BC48
, 4G077BC60
, 4G077BD01
, 4G077BD09
, 4G077BD10
, 4G077BD20
, 4G077BE02
, 4G077CC03
, 4G077EA02
, 4G077ED04
, 4G077ED06
, 4G077EJ03
, 4G077EJ04
, 4G077EJ10
, 4G077FJ01
, 4G077HA01
, 4G077HA05
, 4G077HA11
, 4G077HA20
, 4G077LA01
, 4G077LA05
, 4G077RA09
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
-
光学単結晶薄膜及びその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-054239
Applicant:三菱電機株式会社
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光電変換素子および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-008574
Applicant:セイコーエプソン株式会社, 国立大学法人信州大学
-
光電変換素子の製造方法、光電変換素子および電子機器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-008575
Applicant:セイコーエプソン株式会社, 国立大学法人信州大学
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Article cited by the Patent:
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