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J-GLOBAL ID：201103055303856822

Cu-Ga合金粉末の製造方法及びCu-Ga合金粉末、並びにCu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu-Ga合金スパッタリングターゲット

Inventor： 森本 敏夫 ,  高橋 辰也 ,  安東 勲雄 ,  小向 哲史 ,  高木 正徳 ,  佐藤 恵理子 ,  南 浩尚
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (5)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010187160
Publication number (International publication number)：2011231396
Application date： Aug. 24, 2010
Publication date： Nov. 17, 2011
Summary：

【課題】高品質なCu-Ga合金粉末を容易に製造することができるCu-Ga合金粉末の製造方法及びCu-Ga合金粉末、並びにCu-Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法及びCu-Ga合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で30〜700°Cの温度で攪拌して合金化することにより、Cu-Ga合金粉末を得る。また、このCu-Ga合金粉末を成型し、焼結することにより、Cu-Ga合金スパッタリングターゲットを得る。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

Cu粉末とGaとが質量比で85:15〜55:45の割合で配合された混合粉末を、不活性雰囲気中で30〜700°Cの温度で攪拌して合金化することを特徴とするCu-Ga合金粉末の製造方法。

IPC (5)：

B22F 1/00 ,  B22F 3/14 ,  B22F 1/02 ,  C23C 14/34 ,  H01L 31/04

FI (7)：

B22F1/00 E ,  B22F1/00 L ,  B22F3/14 D ,  B22F1/00 C ,  B22F1/02 A ,  C23C14/34 A ,  H01L31/04 E

F-Term (24)：

4K018AA04 ,  4K018BA02 ,  4K018BA20 ,  4K018BB04 ,  4K018BC01 ,  4K018BC12 ,  4K018BC16 ,  4K018BC22 ,  4K018BC35 ,  4K018EA02 ,  4K018EA13 ,  4K018FA06 ,  4K018JA34 ,  4K018KA29 ,  4K018KA63 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029DC04 ,  4K029DC07 ,  4K029DC09 ,  4K029DC24 ,  5F151AA10 ,  5F151BA14 ,  5F151CB15

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-107501
  
• 特開昭61-261456
  
• 高Ga含有Cu-Ga二元系合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-323242   Applicant：三菱マテリアル株式会社