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J-GLOBAL ID:201103057299527064

高音圧領域形成方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 西澤 利夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010010439
Publication number (International publication number):2011151558
Application date: Jan. 20, 2010
Publication date: Aug. 04, 2011
Summary:
【課題】スピーカアレイを用いたときに、それぞれの音の干渉を抑制し、S/N比にすぐれた高音圧領域を形成することができる高音圧領域形成方法を提供する。【解決手段】複数のスピーカを直線状又は平面状に配置してなるスピーカアレイの各スピーカからの音声信号の位相及び音量を制御して高音圧領域を形成する方法において、各スピーカの音圧を、高音圧領域に対する各スピーカの距離が遠くなるに従い小さくなるように制御することによりサイドローブを抑制する。【選択図】図1
Claim (excerpt):
複数のスピーカを直線状又は平面状に配置してなるスピーカアレイの各スピーカからの音声信号の位相及び音量を制御して高音圧領域を形成する方法において、各スピーカの音圧を、高音圧領域に対する各スピーカの距離が遠くなるに従い小さくなるように制御することによりサイドローブを抑制することを特徴とする高音圧領域形成方法。
IPC (2):
H04R 3/00 ,  H04R 1/40
FI (2):
H04R3/00 310 ,  H04R1/40 310
F-Term (3):
5D018AF16 ,  5D018AF22 ,  5D020AC01

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