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J-GLOBAL ID：201103059965307409

III族窒化物半導体結晶の製造方法、およびIII族窒化物半導体基板

Inventor： 齋藤 義樹 ,  奥野 浩司 ,  牛田 泰久
Applicant, Patent owner： 豊田合成株式会社
Agent (1)： 藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2009194414
Publication number (International publication number)：2011046544
Application date： Aug. 25, 2009
Publication date： Mar. 10, 2011
Summary：

【課題】テラスエッジ部上の結晶欠陥を低減し、かつ表面平坦性に優れたm面GaN結晶を製造すること。【解決手段】a面サファイア基板10表面には、長手方向をm軸方向とする帯状の凹部11が、ストライプ状に配置されて複数形成されている。凹部11は、サファイア基板10の主面に平行な底面11aと、向かい合う2つの側面11bで構成されている。側面11bは平面状である。テラス10aの幅xは20μm以下、凹部11の底面11aの幅yは15μm以下、凹部11の深さzは50nm以上、サファイア基板10の主面に対して凹部11の側面11bのなす角度θは50〜90°、である。このサファイア基板10上に結晶成長させたm面GaNは、結晶欠陥が少なく結晶性に優れ、かつ表面平坦性に優れている。【選択図】図2

Claim (excerpt)：

a面を主面とするサファイア基板の表面に、長手方向がm軸方向に沿った帯状であり、サファイア基板の主面に平行な底面と、前記底面に角度を成した平面である2つの側面とを有した凹部を、一定の間隔で並んだストライプ状に複数形成し、前記凹部側面にバッファ層を形成し、前記凹部側面から前記バッファ層を介してIII 族窒化物半導体をc軸方向に成長させて、前記サファイア基板上にm面を主面とするIII 族窒化物半導体を形成するIII 族窒化物半導体の製造方法であって、 前記凹部底面の幅は、15μm以下、 前記凹部間に残った前記サファイア基板表面の幅は、20μm以下、 前記凹部の深さは、50nm以上、 前記凹部側面の前記サファイア基板主面に対する角度は、50〜90°、 となるように前記凹部を形成する、 ことを特徴とするIII 族窒化物半導体の製造方法。

IPC (5)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C30B 25/04 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205

FI (5)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C30B25/04 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205

F-Term (41)：

4G077AA02 ,  4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077EE07 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC13 ,  4G077TC16 ,  4G077TK01 ,  4G077TK04 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030CA11 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030JA03 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-215462   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-015304   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-295279   Applicant：三菱電線工業株式会社
• III族窒化物系化合物半導体の製造方法、III族窒化物系化合物半導体の形成されたウエハ及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2008-212461   Applicant：豊田合成株式会社

Cited by examiner (3)

• 半導体結晶の結晶成長方法、光半導体素子、及び結晶成長基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-215462   Applicant：豊田合成株式会社
• 窒化物半導体構造とその製造方法および発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-015304   Applicant：シャープ株式会社
• 窒化物半導体結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-295279   Applicant：三菱電線工業株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• MOVPE法によるサファイア凹凸加工基板上へのGaN選択成長

Cited by examiner (1)

• MOVPE法によるサファイア凹凸加工基板上へのGaN選択成長