窒化物半導体結晶の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006295279
Publication number (International publication number)：2008110895
Application date： Oct. 31, 2006
Publication date： May. 15, 2008
Summary：

【課題】窒化物半導体結晶との溶解速度差が小さい材料からなるバッファ層を用いた場合であっても、選択的エッチングにより短時間でバッファ層を溶解させて、窒化物半導体結晶を異種基板から分離可能とすることができる、窒化物半導体結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する。次に、前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

(イ)異種基板上にバッファ層を介して層状の窒化物半導体結晶が形成されてなるエピタキシャルウェハであって、該窒化物半導体結晶が気相成長により形成されたものであり、該異種基板の該窒化物半導体結晶が形成された側の主面が加工により凹凸面とされており、該凹凸面の凹部と該窒化物半導体結晶との間に空隙が形成されているエピタキシャルウェハを準備する、エピタキシャルウェハ準備工程と、 (ロ)前記バッファ層を前記窒化物半導体結晶に対して選択的に溶解させ得るエッチング液を前記空隙の内部に導入し、該エッチング液によって前記バッファ層を溶解させて、前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から分離させる、分離工程と、を有する窒化物半導体結晶の製造方法。

IPC (2)：

C30B 29/38 , H01L 33/00

FI (2)：

C30B29/38 D , H01L33/00 C

F-Term (21)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077DB08 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EB01 , 4G077ED06 , 4G077EE02 , 4G077EF02 , 4G077EH01 , 4G077FJ03 , 4G077HA12 , 5F041CA04 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA77

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

GaN系結晶基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-188776 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体基材及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-335591 Applicant：三菱電線工業株式会社
半導体層の成長方法および半導体発光素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-182037 Applicant：ソニー株式会社

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