Pat

J-GLOBAL ID：201103063403608098

ナノ構造の形状制御方法

Inventor： 矢ヶ部 太郎 ,  藤田 大介 ,  宇治 進也
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2003131083
Publication number (International publication number)：2004335817
Patent number：4192237
Application date： May. 09, 2003
Publication date： Nov. 25, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板とこれを覆う金属からなる蒸着物質とを用いたナノ構造の形状制御方法であって、前記蒸着物質は、それが蒸着された基板が所定温度以上になったときに拡散するものであり、前記拡散温度未満にした基板の所望位置を前記蒸着物質で覆うことで、あらかじめ基板表面上を蒸着物質に覆われた蒸着部と基板が剥き出しの非蒸着部とに区分し、基板を真空中または不活性ガス中において、前記拡散温度以上に加熱処理することにより、前記蒸着物質を蒸着部から非蒸着部に対して拡散させて前記非蒸着部にナノ構造を作成するに際し、前記拡散温度以上の加熱処理における加熱温度または加熱時間を調整することで拡散速度を調整して長方形状のナノ構造のアスペクト比を制御することを特徴とするナノ構造の形状制御方法。

IPC (2)：

H01L 29/06 ( 200 6.01) ,  B82B 3/00 ( 200 6.01)

FI (2)：

H01L 29/06 601 N ,  B82B 3/00

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• ナノスケール電子デバイスおよび製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-521143   Applicant：ナノクラスターデバイシスリミテッド

Cited by examiner (1)

• ナノスケール電子デバイスおよび製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-521143   Applicant：ナノクラスターデバイシスリミテッド