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J-GLOBAL ID：201103065523827357

電荷散逸層を備えたアンダー・ゲート電界放出トライオード

Inventor： アダム・フェニモア ,  ラップ-タック・アンドリュー・チェン
Applicant, Patent owner： イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
Agent (2)： 結田 純次 ,  竹林 則幸
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2010528148
Publication number (International publication number)：2010541185
Application date： Oct. 03, 2008
Publication date： Dec. 24, 2010
Summary：

アンダー・ゲート電界放出トライオード装置、それに用いるカソード組立体は、電荷散逸層を含む。電荷散逸層は、カソード電極および/または電子電界エミッタの下または上に配置されていてよい。

Claim (excerpt)：

(a)(i)基板、(ii)前記基板上に配置された導電性ゲート電極、(iii)前記ゲート電極上に配置された絶縁層、(iv)前記絶縁層上に配置された約1×1010〜約1×1014オーム・パー・スクエアの電気シート抵抗を有する電荷散逸層、(v)前記電荷散逸層上に配置されたカソード電極、および(vi)前記カソード電極と接触している電子電界エミッタを含むカソード組立体と、(b)アノードとを含む電界放出トライオード装置。

IPC (1)：

H01J 1/304

FI (1)：

H01J1/30 F

F-Term (7)：

5C135AA09 ,  5C135AB07 ,  5C135AC30 ,  5C135FF23 ,  5C135GG16 ,  5C135HH17 ,  5C135HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 表示装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2004-559966   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ, エルジーフィリップスディスプレイズエヌエル
• 電子放出素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-240124   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• 電界放出表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-108773   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• 電子放出素子、電子源及び画像形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-149455   Applicant：キヤノン株式会社
• 電界放出素子用の長寿命エミッタ及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-163313   Applicant：三星エスディアイ株式会社
• 画像形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-256157   Applicant：キヤノン株式会社
• 炭素ナノチューブ電界放出素子及びその駆動方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-001048   Applicant：エルジー電子株式会社
• 電子放出膜および電界電子放出装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-233873   Applicant：日本電気株式会社
• 画像表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-311033   Applicant：キヤノン株式会社