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J-GLOBAL ID：200903084209135366

電子放出素子

Inventor：
黄 成淵

About 黄 成淵


Applicant, Patent owner：
三星エスディアイ株式会社

About 三星エスディアイ株式会社


Agent (3)： 渡邊 隆 ,  志賀 正武 ,  村山 靖彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005240124
Publication number (International publication number)：2006244983
Application date： Aug. 22, 2005
Publication date： Sep. 14, 2006
Summary：
【課題】 厚膜工程による絶縁層を備えて駆動電極間の電気的絶縁を確保しながら、絶縁層の寄生キャパシター作用による信号歪曲を抑制して電気的動作特性を向上させることができる電子放出素子を提供する。【解決手段】 本発明による電子放出素子は所定の間隔をおいて対向配置される第1基板及び第2基板と、第1基板上に形成される電子放出部と、第1基板上に相互絶縁されて位置し、電子放出部の電子放出を制御する第1電極及び第2電極と、第1電極と第2電極との間に位置する絶縁層と、第2基板上に形成されるアノード電極と、アノード電極の一面に形成される蛍光層とを含む。この時、絶縁層は電気的物性の異なる少なくとも二つの層の積層構造からなる。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
所定の間隔をおいて対向配置される第1基板及び第2基板と、 前記第1基板上に形成される電子放出部と、 前記第1基板上に相互絶縁されて位置し、前記電子放出部の電子放出を制御する第1電極及び第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間に位置する絶縁層と、 前記第2基板上に形成されるアノード電極と、 前記アノード電極の一面に形成される蛍光層とを含み、 前記絶縁層は電気的物性が異なる少なくとも二つの層の積層構造になることを特徴とする電子放出素子。
IPC (1)：
H01J 1/304
FI (1)：
H01J1/30 F
F-Term (15)：
5C135AA08 ,  5C135AA13 ,  5C135AA15 ,  5C135AB06 ,  5C135AB07 ,  5C135AB08 ,  5C135AB09 ,  5C135AB12 ,  5C135AC22 ,  5C135AC26 ,  5C135EE08 ,  5C135FF13 ,  5C135HH05 ,  5C135HH13 ,  5C135HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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