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J-GLOBAL ID：201103066371733781

III-V族混晶化合物強磁性半導体とその製造方法

Inventor： 大野 英男 ,  白井 正文 ,  松倉 文▲礼▼ ,  千葉 大地
Applicant, Patent owner： 独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2002220741
Publication number (International publication number)：2004063832
Patent number：3817204
Application date： Jul. 30, 2002
Publication date： Feb. 26, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】III-V族化合物半導体にMn,Fe,Co,Ni,Ti,V,Crからなる遷移金属から選ばれる磁性元素とBe、C,Mg,Znから選ばれる非磁性アクセプタ元素を該化合物半導体の成長時に同時にドーピングさせてなることを特徴とするIII-V族混晶化合物強磁性半導体。

IPC (6)：

H01F 1/40 ( 200 6.01) ,  H01F 10/193 ( 200 6.01) ,  H01L 21/203 ( 200 6.01) ,  H01L 43/08 ( 200 6.01) ,  H01L 43/10 ( 200 6.01) ,  H01L 43/12 ( 200 6.01)

FI (6)：

H01F 1/00 A ,  H01F 10/193 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 43/08 S ,  H01L 43/10 ,  H01L 43/12

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• Transport properties of Mn δ-doped GaAs and the effect of selective doping
• Effect of Be doping on the properties of GaMnAs ferromagnetic semiconductors
• MnとBeを変調ドーピングしたGaAsにおける巨大磁気抵抗効果

Cited by examiner (1)

• Effect of Be doping on the properties of GaMnAs ferromagnetic semiconductors