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J-GLOBAL ID：201103066665275340

半導体接合部材の製造方法

Inventor： 三木 俊克 ,  村田 卓也
Applicant, Patent owner： 有限会社山口ティー・エル・オー
Agent (1)： 高木 義輝
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2005517370
Patent number：4538579
Application date： Feb. 06, 2004
Claim (excerpt)：

【請求項1】 少なくとも一方の部材が半導体であり、該半導体部材と金属類又は半導体部材とが接合された半導体接合部材の製造方法であって、接合しようとする両部材の少なくとも一方の部材が、陰極電解水素吸蔵法により、少なくとも表層部に水素を吸蔵させた水素吸蔵性部材であるそれぞれの部材を、その水素吸蔵性部材面が界面を構成するよう圧接し、圧接しながら該水素吸蔵部材から、水素が放出される温度以上、700°C以下で且つ界面に液相を生ずる温度より低い温度で加熱することを特徴とする半導体接合部材の製造方法。

IPC (3)：

C04B 37/00 ( 200 6.01) ,  B23K 20/00 ( 200 6.01) ,  H01L 21/52 ( 200 6.01)

FI (3)：

C04B 37/00 B ,  B23K 20/00 310 N ,  H01L 21/52 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭62-078171
  
• 特開昭62-056380
  
• 複合水素吸蔵金属部材及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-252778   Applicant：マツダ株式会社
• 水素チヤージ方式によるはんだ付方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-258322   Applicant：長野県

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• :Joining between AlN Ceramics and between Al2O3 Using TiH2 and Ti Foil at Low Temperatures by Spark