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J-GLOBAL ID：201103068742006643

磁気メモリ素子

Inventor： 呉 世 忠 ,  李 將 銀 ,  李 濟 ヒョン ,  金 佑 ジン ,  林 佑 昶 ,  鄭 峻 昊 ,  崔 錫 憲
Applicant, Patent owner： 三星電子株式会社
Agent (1)： 特許業務法人共生国際特許事務所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2010202344
Publication number (International publication number)：2011061204
Application date： Sep. 09, 2010
Publication date： Mar. 24, 2011
Summary：

【課題】磁気メモリ素子を提供する。【解決手段】本発明の磁気メモリ素子は、基板上のトンネルバリア、トンネルバリアの一面と接する第1接合磁性層、第1接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第1垂直磁性層、トンネルバリアの他の面と接する第2接合磁性層、第2接合磁性層によってトンネルバリアと離隔される第2垂直磁性層、及び第1接合磁性層と第1垂直磁性層との間の非磁性層を含む。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1垂直磁性層と、 前記第1垂直磁性層上に非磁性層と、 前記非磁性層上に第1接合磁性層と、 前記第1接合磁性層上にトンネルバリアと、 前記トンネルバリア上に第2接合磁性層と、 前記第2接合磁性層上に第2垂直磁性層と、を有し、 前記非磁性層が前記第1垂直磁性層と前記第1接合磁性層との間に配置され、前記第1接合磁性層が前記非磁性層と前記トンネルバリアとの間に配置され、前記トンネルバリアが前記第1接合磁性層と前記第2接合磁性層との間に配置され、前記第2接合磁性層が前記トンネルバリアと前記第2垂直磁性層との間に配置されることを特徴とする磁気メモリ素子。

IPC (5)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01F 10/32 ,  H01L 29/82

FI (4)：

H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01F10/32 ,  H01L29/82 Z

F-Term (54)：

4M119AA06 ,  4M119AA15 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD17 ,  4M119JJ09 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049CB01 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5E049DB14 ,  5F092AA02 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB16 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB25 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB45 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC12 ,  5F092BC13 ,  5F092BC14 ,  5F092BC19 ,  5F092BE13 ,  5F092BE14 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-248251   Applicant：株式会社東芝
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-005513   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-544759   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2007-248251   Applicant：株式会社東芝
• 記憶素子及びメモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-005513   Applicant：ソニー株式会社
• 磁気トンネル接合を有する磁気装置、メモリアレイ、及びこれらを用いた読み出し/書き込み方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2003-544759   Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク