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J-GLOBAL ID：200903076233584527

記憶素子及びメモリ

Inventor： 大場 和博
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (2)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005005513
Publication number (International publication number)：2006196612
Application date： Jan. 12, 2005
Publication date： Jul. 27, 2006
Summary：

【課題】 スピン注入効率を向上することにより、書き込みに要する電流値を低減することができる記憶素子を提供する。【解決手段】 情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層17に対して中間層16を介して磁化固定層19が設けられ、中間層16が酸化マグネシウムから成り、中間層16の下側に接する強磁性層15がCoFeBを主成分とする磁性材料から成り、積層方向に電流を流すことにより、記憶層17の磁化M1の向きが変化して、記憶層17に対して情報の記録が行われる記憶素子3を構成する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層を有し、 前記記憶層に対して、中間層を介して磁化固定層が設けられ、 前記中間層が酸化マグネシウムから成り、 前記中間層の下側に接する強磁性層が、CoFeBを主成分とする磁性材料から成り、 積層方向に電流を流すことにより、前記記憶層の磁化の向きが変化して、前記記憶層に対して情報の記録が行われる ことを特徴とする記憶素子。

IPC (4)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  G11C 11/15 ,  H01L 43/08

FI (3)：

H01L27/10 447 ,  G11C11/15 112 ,  H01L43/08 Z

F-Term (7)：

5F083FZ10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA60 ,  5F083PR33

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• キャリヤスピン注入磁化反転型磁気抵抗効果膜と該膜を用いた不揮発性メモリー素子及び該素子を用いたメモリー装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-203934   Applicant：財団法人理工学振興会, 財団法人神奈川科学技術アカデミー

Cited by examiner (1)

• 磁気セル及び磁気メモリ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-396201   Applicant：株式会社東芝