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J-GLOBAL ID:201103073556328421
ドライエッチング方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (4):
中尾 直樹
, 中村 幸雄
, 草野 卓
, 稲垣 稔
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2003416438
Publication number (International publication number):2005175369
Patent number:3816484
Application date: Dec. 15, 2003
Publication date: Jun. 30, 2005
Claim (excerpt):
【請求項1】 原子あるいは分子が凝集したクラスターをイオン化して加速し、そのクラスターイオンビームを物質表面に照射することにより、物質表面の構成原子をエッチング除去するドライエッチング方法において、
上記クラスターが2種類以上の原子あるいは分子が凝集してなる混成クラスターとされ、
その混成クラスターに、Ar,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類の原子と、上記物質表面との反応により堆積して薄膜を形成する成分とが含まれており、
上記混成クラスターを生成するためのAr,Ne,Xe,Krの中から選択された少なくとも1種類のガスと、上記薄膜を形成する成分のガスとの体積比を1:1〜50:1の範囲内に設定することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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表面処理方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-281039
Applicant:株式会社日立製作所
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