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J-GLOBAL ID：201103073955933339

カーボンナノチューブ電界効果トランジスタおよびその製造方法

Inventor： 武田 晴治 ,  武笠 幸一 ,  石井 睦 ,  尾崎 弘一 ,  澤村 誠 ,  細井 浩貴 ,  服部 聡史 ,  山田 良樹 ,  末岡 和久
Applicant, Patent owner： 国立大学法人北海道大学
Agent (1)： 鷲田 公一
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2008508550
Patent number：4528986
Application date： Mar. 28, 2007
Claim (excerpt)：

【請求項1】 基板上に形成されたソース電極およびドレイン電極、ならびに前記ソース電極とドレイン電極とを接続するカーボンナノチューブからなるチャネルを有する電界効果トランジスタであって、 前記カーボンナノチューブを前記基板に固定するカーボンナノチューブフラグメントをさらに有し、 前記カーボンナノチューブフラグメントは、その表面にカルボキシル基またはカルボキシル基の誘導体を有し、その長さが1.5μm以下であり、前記基板のソース電極形成部位およびドレイン電極形成部位に選択的に結合している、電界効果トランジスタ。

IPC (5)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 51/30 ( 200 6.01) ,  H01L 51/40 ( 200 6.01)

FI (10)：

H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 29/78 616 L ,  H01L 29/78 616 K ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 625 ,  H01L 29/28 100 A ,  H01L 29/28 250 E ,  H01L 29/28 250 Z ,  H01L 29/28 370

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• カーボンナノチューブ構造体およびトランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2003-334351   Applicant：三洋電機株式会社, 宗行英朗
• デカップリング素子およびその製造方法、並びにそれを用いたプリント基板回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2004-188508   Applicant：富士ゼロックス株式会社