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J-GLOBAL ID:201103077132431830

ブロードビームの均一性を制御するシステムおよび方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 特許業務法人原謙三国際特許事務所
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2011516293
Publication number (International publication number):2011526065
Application date: Jun. 23, 2009
Publication date: Sep. 29, 2011
Summary:
【課題】短い反応時間で、イオンビーム角度整合性を犠牲にすることなく、ブロードイオンビームの強度均一性を制御する。【解決手段】ブロードビーム単一基板イオン注入システム100は、個別に制御されたガスジェットであって、ガス圧が個別に制御可能なガスジェットの配列506を含んでいる差動式ポンピングステーション216と、ブロードイオンビームのプロファイルを測定するファラデーカッププロファイラー407とを備えており、差動式ポンピングステーション216は、上記ガスとイオンとの電荷交換反応により、ブロードイオンビームの初期電荷状態でのイオンの比率を変更し、当該ブロードイオンビームの電荷交換された一部を、磁場を発生する偏向器により除去するものであり、上記制御装置に供給されるフィードバックに基づいて、上記個別に制御されたガスジェットを調整することにより、所望のブロードイオンビームを生成する。
Claim (excerpt):
個別に制御されたガスジェットであって、電荷交換イオンの比率を変化させるために制御装置によってガス圧が個別に制御可能なガスジェットの配列を含んでいる差動式ポンピングチェンバーと、 ブロードイオンビームのプロファイルを測定するファラデーカッププロファイラーと を備えており、 上記差動式ポンピングチェンバーは、上記ガスとイオンとの電荷交換反応により、ブロードイオンビームの初期電荷状態でのイオンの比率を変更し、当該ブロードイオンビームの電荷交換された一部を、磁場を発生する偏向器により除去するものであり、 上記制御装置に供給されるフィードバックに基づいて、上記個別に制御されたガスジェットを調整することにより、所望のブロードイオンビームを生成する、 ことを特徴とするイオンビーム均一性制御システム。
IPC (2):
H01J 37/317 ,  H01L 21/265
FI (2):
H01J37/317 C ,  H01L21/265 603B
F-Term (2):
5C034CD01 ,  5C034CD07
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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