Pat
J-GLOBAL ID:201103082050944638
薄膜製作方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (3):
三好 秀和
, 伊藤 正和
, 原 裕子
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2011501887
Publication number (International publication number):2011515588
Application date: Mar. 11, 2009
Publication date: May. 19, 2011
Summary:
形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着(PLD)の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
Claim (excerpt):
a)レーザーパルスのバーストを使ってレーザーアブレーションを行うことであって、前記バーストの各々は、真空チェンバー内で、後続のレーザーパルスと前のパルスによってターゲット材料のアブレーションを介して生成されたプラズマとの間に相互作用を作り出すように選択されたパルス分離をもった少なくとも二つのパルスを有するレーザーパルスのパルストレインからなることと、
b)前記真空チェンバー内の前記「バーストモード」のレーザーアブレーションによって生成されたプラズマストリーム中に基板を置くことによって薄膜を形成するようにアブレーションされた材料を基板上に蒸着することと、
を含む薄膜材料のパルスレーザー蒸着方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (18):
4K029AA07
, 4K029AA24
, 4K029BA06
, 4K029BA12
, 4K029BA43
, 4K029BA48
, 4K029BA49
, 4K029BB09
, 4K029CA01
, 4K029DB03
, 4K029DB05
, 4K029DB10
, 4K029DB20
, 4K029EA09
, 4K029JA02
, 4M104BB04
, 4M104BB05
, 4M104DD35
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
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ナノ粒子の生成および堆積方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2007-158187
Applicant:イムラアメリカインコーポレイテッド
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レーザアブレーション成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-203862
Applicant:浜松ホトニクス株式会社
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