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J-GLOBAL ID:201103087318377016

多孔質炭素層に内包された触媒及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 鮫島 睦 ,  田村 恭生 ,  言上 惠一
Gazette classification:特許公報
Application number (International application number):2008520541
Patent number:4584334
Application date: Jun. 01, 2007
Claim (excerpt):
【請求項1】 触媒粒子を含むコア部と、前記コア部を覆うように形成された多孔質炭素層とを含む触媒構造体を製造する方法であって、 前記コア部を覆うようにシリカ含有層を形成する第一工程と、 前記シリカ含有層を覆うように、多孔質シリカ含有層の細孔内に炭素を有する、多孔質シリカ-炭素含有層を形成する第二工程と、 前記シリカ含有層及び前記多孔質シリカ-炭素含有層内のシリカを除去する第三工程と、 を包含する、触媒構造体の製造方法。
IPC (6):
B01J 33/00 ( 200 6.01) ,  B01J 35/08 ( 200 6.01) ,  B01J 23/42 ( 200 6.01) ,  B01J 23/46 ( 200 6.01) ,  B01J 23/44 ( 200 6.01) ,  B01J 23/52 ( 200 6.01)
FI (8):
B01J 33/00 C ,  B01J 35/08 A ,  B01J 35/08 B ,  B01J 23/42 Z ,  B01J 23/46 311 Z ,  B01J 23/44 Z ,  B01J 23/46 301 Z ,  B01J 23/52 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
Article cited by the Patent:
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