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J-GLOBAL ID:201103087990772721

リグニン誘導体の製造方法およびリグニン二次誘導体の製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (2): 増田 達哉 ,  朝比 一夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2010255936
Publication number (International publication number):2011042806
Application date: Nov. 16, 2010
Publication date: Mar. 03, 2011
Summary:
【課題】フェノール性水酸基の割合を多く含み、反応性基の導入が容易であるリグニン誘導体を提供し、また、樹脂原料として有用な反応性基を導入し、高い架橋密度が期待できるリグニン二次誘導体を提供する。【解決手段】バイオマスを分解して得られるリグニン誘導体であって、前記リグニン誘導体はフェノール性水酸基とアルコール性水酸基をモル比として9:1から8:2の比率で有するものであることを特徴とするリグニン誘導体。前記リグニン誘導体が、ゲル浸透クロマトグラフィーにより測定したポリスチレン換算の数平均分子量が300〜2,000であるリグニン誘導体。前記リグニン誘導体に、反応性基を導入したリグニン二次誘導体。前記反応性基は、エポキシ基であるリグニン二次誘導体。【選択図】なし
Claim (excerpt):
バイオマスを分解して得られるリグニン誘導体の製造方法であって、 バイオマスを水存在下におき、これらを高温高圧下で分解処理する分解工程と、 前記分解工程により得られた処理物中の不溶分をリグニンが可溶な溶媒に浸漬処理する浸漬工程と、 前記浸漬工程により得られた処理物中の可溶分から前記リグニンが可溶な溶媒を留去する留去工程と、を有し、 フェノール性水酸基とアルコール性水酸基とをモル比で9:1〜8:2の比率で含むリグニン誘導体を得ることを特徴とするリグニン誘導体の製造方法。
IPC (2):
C08H 6/00 ,  C08G 59/04
FI (2):
C08H6/00 ,  C08G59/04
F-Term (4):
4J036AE07 ,  4J036AK19 ,  4J036JA07 ,  4J036JA08
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (5)
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