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J-GLOBAL ID：201103088994028098

強磁性III-V族系化合物及びその強磁性特性の調整方法

Inventor：
吉田 博

About 吉田 博

, 
佐藤 和則

About 佐藤 和則


Applicant, Patent owner：
独立行政法人科学技術振興機構

About 独立行政法人科学技術振興機構


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：特許公報
Application number (International application number)：2001059195
Publication number (International publication number)：2002255695
Patent number：3989182
Application date： Mar. 02, 2001
Publication date： Sep. 11, 2002
Claim (excerpt)：
【請求項1】GaAs,InAs,InP,またはGaPよりなる群から選ばれるIII-V族系化合物において、VまたはCrよりなる群から選ばれる少なくとも1種の遷移金属がIII族元素を置換して混晶を形成してなることを特徴とする単結晶強磁性III-V族系化合物。
IPC (2)：
C30B 29/40 ( 200 6.01) ,  G11B 11/105 ( 200 6.01)
FI (2)：
C30B 29/40 A ,  G11B 11/105 506 Z
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 特開昭55-044721
  • 特開昭51-021196
  • 絶縁膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-106282   Applicant：株式会社アルバック
Cited by examiner (3)
  • 特開昭55-044721
  • 特開昭51-021196
  • 絶縁膜の形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-106282   Applicant：株式会社アルバック
Article cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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